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  • 氮化镓GaN第三代半导体材料（入门了解）

    摘要：GaN是一种新型的半导体材料，它是氮化镓的化合物，也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大(3.4eV)、绝缘破坏电场大及饱和漂移速度大等特点，能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行，氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。1引言GaN是一种新型的半导体材料，中文名为氮化镓，英文名称是Gallium nitride。它是氮和镓的化合物，是一种直接能隙(Direct Bandgap)的半导体，也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅(SiC)一起成为“第三代半导体材料”，而第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场前景，成为全球半

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