Dongguan junkang electronic technology Co., Ltd.
摘要:GaN是一种新型的半导体材料,它是氮化镓的化合物,也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大(3.4eV)、绝缘破坏电场大及饱和漂移速度大等特点,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行,氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。1引言GaN是一种新型的半导体材料,中文名为氮化镓,英文名称是Gallium nitride。它是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(Direct Bandgap)的半导体,也是一种宽禁带半导体材料。与碳化硅(SiC)一起成为“第三代半导体材料”,而第三代半导体材料正凭借其优越的性能和巨大的市场前景,成为全球半
军康电容八周年生日之际,全体人员8月30日7:30准时出发前往韶关市新丰县红叶世界进行旅游和庆祝活动;
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